Faltan prácticamente 3 semanas para conocer oficialmente a los nuevos Samsung Galaxy S10, sin embargo, con tantas filtraciones y rumores, ya sabemos muchas de las cosas que seguramente vamos a conocer el próximo 20 de febrero en San Francisco, incluso, uno de estos rumores hablaba acerca de que los Galaxy S10, S10 Plus y S10 X tendrían una versión con 1TB de almacenamiento, algo que no parecía posible, al menos hasta el día de hoy.
Y es que la empresa surcoreana ha presentado de forma oficial la quinta generación V-NAND de la compañía, el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 2.1 integrado de un terabyte (TB) de la industria para smartphones, algo que ninguna otra marca había hecho al día de hoy.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics, mencionó que estas memorias estarán presentes en la próxima generación de smartphones, no solo de Samsung, sino también de otras empresas que quieran utilizarlos, donde muy probablemente estarán incluidos los nuevos Galaxy S10, aunque la empresa no lo diga directamente.
Y es que Samsung ha logrado incluir 1 TB de almacenamiento en el mismo espacio donde ya incluía 512 GB, por lo que el módulo no ocupará mayor espacio dentro del dispositivo que pueda afectar su tamaño, grosor o diseño de fabricación.
Samsung ha mencionado que los usuarios ahora podrán almacenar 260 videos de 10 minutos en formato 4K UHD (3840 × 2160), mientras que el eUFS de 64 GB que se usa ampliamente en muchos de los teléfonos actuales de gama alta solo es capaz de almacenar 13 videos del mismo tamaño.
Así mismo, esta memoria flash de 1TB también posee una velocidad excepcional, lo que permite a los usuarios transferir grandes cantidades de contenido multimedia en un tiempo significativamente reducido. Todo ello con una velocidad de hasta 1.000 MB/s, lo que significa que hablamos aproximadamente del doble de la velocidad de lectura secuencial de una unidad de estado sólido (SSD) SATA de 2,5 pulgadas.
Como resumen, las velocidades de esta nueva unidad flash serían las siguientes:
- Velocidad de lectura secuencial: 1000 MB/s.
- Velocidad de escritura secuencial: 260 MB/s.
- Velocidad de lectura aleatoria: 58 000 IOPS.
- Velocidad de escritura aleatoria: 50 000 IOPS.
Samsung no ha revelado el costo, pero mencionó que estas memorias estarán disponibles durante la primera mitad del año para los fabricantes, aunque como lo mencionamos, es casi un hecho que las veamos en uno o varios modelos de los nuevos Samsung Galaxy S10.
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